1月2日，商務部發布公告，根據《中華人民共和國出口管制法》和《中華人民共和國兩用物項出口管制條例》等法律法規有關規定，為維護國家安全和利益，履行防擴散等國際義務，決定將通用動力公司等28家美國實體列入出口管制管控名單，并采取以下措施：

一、禁止向上述28家美國實體出口兩用物項;正在開展的相關出口活動應當立即停止。

二、特殊情況下確需出口的，出口經營者應當向商務部提出申請。

該公告自公布之日起正式實施。

在此次商務部公布的出口管制名單中有一家半導體公司，那就是英特磊公司。據悉，英特磊科技股份有限公司于2011年4月26日在開曼群島設立，營運主體位于美國得州，是全球磷化銦、銻化鎵磊芯片代工領導廠商，采用MBE技術從事砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產，具有基板到磊晶的垂直整合技術能力，提供無線通訊、衛星通訊、光纖通訊等商業，以及太空與國防上的紅外線感測、夜視、攝影等產品應用。

磊晶是一種用于半導體器件制造過程中，在原有晶片上長出新結晶，以制成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長，可用以制造硅晶體管到CMOS集成電路等各種元件，在制作化合物半導體例如砷化鎵時，磊晶尤其重要;砷化鎵是一種重要的半導體材料，屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏;磷化銦是一種無機化合物，主要用作半導體材料，用于光纖通訊技術。

2017年光器件市場份額前三的廠商分別為Finisar、Lumemtum和Oclaro。其中，Finisar與英特磊在光通訊應用磷化銦PIN、APD產品合作密切，英特磊會為Finisar的VCSEL訂單代工。當時任英特磊科技代理發言人范振隆曾表示公司獲得的訂單主要供應中國手機品牌廠。

2021年，英特磊董事長高永中表示針對5G需求所開發的GaN產品，2022年開始正式量產并貢獻營收，客戶對外延(Epi)品質反應良好。目前主要的服務偏重于高摻雜GaN二次生長，應用的是與國防、高端衛星通訊、5G相關的GaN HEMT外延片。

2023年，英特磊因生產基地大宗聚焦美國本土，宣布將申請美國《芯片與科學法案》補貼，并用來擴廠增效。2024年4月，英特磊宣布已成功獲得德克薩斯州芯片法案提供的410萬美元資金補助。這筆資金將直接助力公司在德州的擴廠計劃，主要會用于支持德州二廠的擴建項目，預計將于2025年1月動工，包括增加生產設備、優化生產流程以及提升倉儲能力等，預計能夠顯著提升公司的生產效率和產品質量。此外，英特磊透露，美國聯邦芯片法案的補助申請已進入實質審查階段，目前進度順利。

隨著AI市場的持續增長，英特磊主要產品磷化銦的需求有望提升，而銻化鎵則在國防產品上的訂單量增長迅速。高永中預計未來公司營運成長將達到20%至30%。